PIMT1 M1t 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-40V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-100mA |
| Q1基极输入电阻R1
Input Resistance(R1) |
100MHz |
| Q1基极-发射极输入电阻R2
Base-Emitter Resistance(R2) |
120 |
| Q1电阻比(R1/R2)
Q1 Resistance Ratio |
-200mV |
| Q2基极输入电阻R1
Input Resistance(R1) |
600mW |
| Q2基极-发射极输入电阻R2
Base-Emitter Resistance(R2) |
Features ? PNP general purpose double transistors ? 600 mW total power dissipation ? Low current (max. 100 mA) ? Low voltage (max. 40 V) ? Reduces number of components and required PCB area ? Reduced pick and place costs. APPLICATIONS ? General purpose switching and amplification. |
| Q2电阻比(R1/R2)
Q2 Resistance Ratio |
特点 ?PNP通用双晶体管 ?600 mW的总功耗 ?低电流（最大100 mA） ?低电压（最大40 V） ?减少组件数量和所需的PCB面积 ?减少取放成本。 应用 ?通用开关和放大。 |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
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| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
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| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
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| Description & Applications |
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| 描述与应用 |
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