PIMH9 H9 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100mA |
| Q1基极输入电阻R1
Input Resistance(R1) |
10KΩ/Ohm |
| Q1基极-发射极输入电阻R2
Base-Emitter Resistance(R2) |
47KΩ/Ohm |
| Q1电阻比(R1/R2)
Q1 Resistance Ratio |
0.21 |
| Q2基极输入电阻R1
Input Resistance(R1) |
10KΩ/Ohm |
| Q2基极-发射极输入电阻R2
Base-Emitter Resistance(R2) |
47KΩ/Ohm |
| Q2电阻比(R1/R2)
Q2 Resistance Ratio |
0.21 |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100 |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
|
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
600mW/0.6W |
| Description & Applications |
Features ? NPN resistor-equipped double transistor ? Transistors with built-in bias resistors (R1 typ. 10 k? andR2 typ. 47 k?) ? No mutual interference between the transistors ? Simplification of circuit design ? Reduces number of components and board space APPLICATIONS ? General purpose switching and amplification ? Inverter and interface circuits ? Circuit driver. |
| 描述与应用 |
特点 ?NPN电阻配备双晶体管 ?晶体管内置偏置电阻（R1典型值10KΩ/Ohm的1和R 2（典型值）47KΩ/Ohm的。） ?晶体管之间没有相互干扰 ?简化电路设计 ?减少元件数量和电路板空间 应用 ?通用开关和放大 ?逆变器和接口电路 ?电路驱动。 |
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