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PESD1LIN
 型号:  PESD1LIN
 标记/丝印/代码/打字:  AM
 厂家:  NXP/PHILIPS
 封装:  SOD323/SC-76/0805-15V
 批号:  06+NOPB
 库存数量:  2000
 所属分类:  二极管Diodes
  瞬态抑制二极管(TVS)/(ESD)
    单通道1 Channel
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PESD1LIN AM 的参数

极性 Polarization 双向 Bidirectional
反向关断电压/工作电压VRWM Reverse Standoff Voltage 15V
反向击穿电压VBR Breakdown Voltage 18.9V
峰值脉冲耗散功率PPPM Peak Pulse Power Dissipation 160W
峰值脉冲电流IPPm Peak Forward Surge Current 3A
额定耗散功率Pd Power dissipation
Description & Applications FEATURES ?ESD protection of one automotive LIN bus line ?Asymmetrical diode con?guration ensures an optimized ElectroMagnetic ?Immunity (EMI) of a LIN Electronic Control Unit (ECU) ?Due to the integrated diode structure only one very small SOD323 package is needed ?Max. peak pulse power: PPP = 160 W at tp = 8/20 μs ?Low clamping voltage: VCL = 40 V at IPP = 1 A ?Ultra low leakage current: IRM < 1 nA ?ESD protection of up to 23 kV IEC 61000-4-2, level 4 (ESD) IEC 61000-4-5 (surge); IPP = 3 A at tp = 8/20 μs
描述与应用 特性 ?汽车LIN总线ESD保护 ?不对称二极管配置确保优化电磁 ?抗干扰能力(EMI)的林电子控制单元(ECU) ?由于集成二极管结构只有一个非常小SOD323封装需要 ?最大峰值脉冲功率:PPP=160 W@tp= 8/20μs ?低钳位电压:VCL在IPP=1= 40 V? ?超低漏电流:IRM<1 nA ?高达23千伏ESD保护IEC61000-4-2第4级(ESD) IEC61000-4-5(浪涌); IPP= 3 A@tp= 8/20μs
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 相关型号列表

型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
PESD1LIN AM NXP/PHILIPS 06+NOPB SOD323/SC-76/0805-15V 2000 二极管Diodes-瞬态抑制二极管(TVS)/(ESD)-单通道1 Channel 查看
PESD12VS1UB N3 NXP/PHILIPS 0801NOPB SOD-523/SC-79/0603-12V 0 二极管Diodes-瞬态抑制二极管(TVS)/(ESD)-单通道1 Channel 查看
PESD12VS2UT WU2 NXP/PHILIPS 04NOPB SOT-23-12V 0 二极管Diodes-瞬态抑制二极管(TVS)/(ESD)-2 通道阵列2 Channel Array 查看
PESD12VL1BA AD NXP/PHILIPS 07NOPB SOD323/SC-76/0805-12V 600 二极管Diodes-瞬态抑制二极管(TVS)/(ESD)-单通道1 Channel 查看
PESD12VS2UAT W7C NXP/PHILIPS 09+NOPB SOT-23-12V 0 二极管Diodes-瞬态抑制二极管(TVS)/(ESD)-2 通道阵列2 Channel Array 查看
PESD12VS2UAT W7C NXP/PHILIPS 09+ROHS SOT-23-12V 0 二极管Diodes 查看

 

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