PBSS5350D 53 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-3A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-300mV/-0.3V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
600mW/0.6W |
| Description & Applications |
PNP transistor FEATURES ? High current capabilities ? Low VCEsat ? NPN complement: PBSS4350D. APPLICATIONS ? Heavy duty battery powered equipment (Automotive,Telecom and Audio/Video) such as motor and lamp drivers. ? VCEsat critical applications such as the latest low supply voltage IC applications ? All battery driven equipment to save battery power |
| 描述与应用 |
PNP晶体管 特点 ?高电流能力 ?低VCESAT ?NPN补充：PBSS4350D。 应用 ?重载电池供电设备（汽车，电信和音频/视频），如电机和灯驱动器。 VCE监测的关键应用，如最新的低电源 电压IC应用 ?所有电池驱动的设备，以节省电池电量 |
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