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P0903BDG
 型号：  P0903BDG
 标记/丝印/代码/打字：  P0903BDG
 厂家：  NIKO-SEM
 封装：  TO-252/D-PAK
 批号：  06+
 库存数量：  980
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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P0903BDG P0903BDG 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id Drain Current 50A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 7.5Ω/Ohm @25A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1-3V
耗散功率Pd Power Dissipation 50W
Description & Applications N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
描述与应用 N沟道逻辑电平增强 模式场效应晶体管
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