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P01N02LMB 102B 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
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| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
15V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
1.2A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.22Ω/Ohm @1.2A,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.7-2.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
600mW/0.6W |
| Description & Applications |
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 描述与应用 |
N沟道逻辑电平增强 模式场效应晶体管 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| P01N02LMB |
102B |
NIKO-SEM |
03+ |
SOT-23/SC-59 |
600 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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