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P0110002P
 型号：  P0110002P
 标记/丝印/代码/打字：  
 厂家：  SEI
 封装：  SOT-89
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MESFET-N沟道MESFET N-Channel
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P0110002P  的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 8V
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage -4V
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current 300mA
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation 1.7W
Description & Applications 250mW GaAs Power FET (Pb-Free Type) Up to 2.7 GHz frequency band Beyond +22 dBm output power Up to +41dBm Output IP3 High Drain Efficiency SOT-89 SMT Package (Pb-free) Low Noise Figure Wireless communication system Cellular, PCS, PHS, W-CDMA, WLAN
描述与应用 250MW砷化镓功率场效应管（无铅型） 高达2.7 GHz频段 超越+22 dBm的输出功率 高达+41 dBm输出IP3 漏极效率高 SOT-89贴片封装（无铅） 低噪声图 无线通信系统
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