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NTR4502PT1G
 型号:  NTR4502PT1G
 标记/丝印/代码/打字:  TR
 厂家:  ON
 封装:  SOT-23/SC-59
 批号:  0620+ROHS
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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NTR4502PT1G TR 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current -1.95A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.165Ω @-1.95A,-4.5V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage -1.0--3V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.25W
Description & Applications Features ? Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switching ? Low RDS(ON) for Low Conduction Losses ? SOT?23 Surface Mount for Small Footprint (3 X 3 mm) ? Pb?Free Packages are Available
描述与应用 ?领先的平面技术,低栅极电荷/快速切换 ?低RDS(ON) 低传导损耗 ?SOT-23表面贴装小尺寸(3×3毫米) ?无铅包可用
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