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NTQD6866R2
 型号：  NTQD6866R2
 标记/丝印/代码/打字：  866
 厂家：  ON
 封装：  tssop8
 批号：  01+
 库存数量：  500
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel
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NTQD6866R2 866 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current 6.9A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 38m?@ VGS =2.5V, ID =2.9A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.6~1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation 2W
Description & Applications Power MOSFET Features ? New Low Profile TSSOP–8 Package ? Ultra Low RDS(on) ? Higher Efficiency Extending Battery Life ? Logic Level Gate Drive ? Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery ? Avalanche Energy Specified ? IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperatures Applications ? Power Management in Portable and Battery–Powered Products, i.e.:Computers, Printers, PCMCIA Cards, Cellular and Cordless Telephones ? Battery Applications ? NoteBook PC
描述与应用 功率MOSFET 特点 ?新的薄型TSSOP-8封装 ?超低RDS（开） ?更高的效率延长电池寿命 ?逻辑电平栅极驱动器 ?二极管具有高速软恢复 ?雪崩能量 ?IDSS和VDS（开）指定高温 应用 ?电源管理在便携式和电池供电产品，如：电脑，打印机，PCMCIA卡，蜂窝电话和无绳电话 ?电池的应用 ?笔记本电脑
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