NTJD4001NT1G TE 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
250mA/0.25A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
2.5?@ VGS =2.5V, ID =10mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.8~1.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
272mW/0.272W |
| Description & Applications |
Small Signal MOSFET Features ? Low Gate Charge for Fast Switching ? Small Footprint ? 30% Smaller than TSOP?6 ? ESD Protected Gate ? Pb?Free Package for Green Manufacturing (G Suffix) Applications ? Low Side Load Switch ? Li?Ion Battery Supplied Devices ? Cell Phones, PDAs, DSC ? Buck Converters ? Level Shifts |
| 描述与应用 |
小信号MOSFET 特点 ?低栅极电荷快速开关 ? 小低印-30％小于TSOP-6 ?ESD保护门 ?面向绿色制造的无铅封装（G后缀） 应用 ?低端负荷开关 ?锂离子电池提供的设备 - 手机，掌上电脑，数码相机 ?降压转换器 ?电平转换 |
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