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NTHS2101PT1g
 型号:  NTHS2101PT1g
 标记/丝印/代码/打字:  d4
 厂家:  ON
 封装:  1206-8
 批号:  07+ROHS
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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NTHS2101PT1g d4 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -8V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current -5.4A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.019Ω @-5.4A,-4.5V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage -0.45--1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.3W
Description & Applications Features ? Low Profile (<1.1 mm) Allows it to Fit Easily into Extremely Thin Environments such as Portable Electronics ? Designed to Provide Low RDS(on) at Gate Voltage as Low as 1.8 V, the Operating Voltage used in many Logic ICs in Portable Electronics ? Simplifies Circuit Design since Additional Boost Circuits for Gate Voltages are not Required ? Operated at Standard Logic Level Gate Drive, Facilitating Future Migration to Lower Levels using the same Basic Topology ? Pb?Free Package is Available
描述与应用 ?薄型(<1.1毫米)允许它能够轻松融入极薄 环境,如便携式电子产品 ?专为提供低RDS(ON) 低栅极电压为1.8 V, 用于便携式电子产品在许多逻辑IC的工作电压 ?简化电路设计,因为其他的门电路升压 电压不 ?工作在标准逻辑电平栅极驱动,有利于未来 迁移到下级使用相同的基本拓扑结构 ?无铅包装是可用
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