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NTGS3446T1
 型号:  NTGS3446T1
 标记/丝印/代码/打字:  446
 厂家:  ON
 封装:  SOT-163/TSOP-6/SC-74
 批号:  05+
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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NTGS3446T1 446 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id Drain Current 2.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 90m?@ VGS =4.5V, ID =3.2A
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0.6~1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications Power MOSFET Features ? Ultra Low RDS(on) ? Higher Efficiency Extending Battery Life ? Logic Level Gate Drive ? Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery ? Avalanche Energy Specified ? IDSS Specified at Elevated Temperature Applications ? Power Management in Portable and Battery?Powered Products, i.e.:Cellular and Cordless Telephones, and PCMCIA Cards ? Lithium Ion Battery Applications ? Notebook PC
描述与应用 功率MOSFET 特点 ?超低RDS(上) ?更高的效率延长电池寿命 ?逻辑电平栅极驱动器 ?二极管具有高速软恢复 ?雪崩能量 ?IDSS指定高温 应用 ?电源管理在便携式和电池供电产品,即:蜂窝,无绳电话,PCMCIA卡 ?锂离子电池的应用 ?笔记本电脑
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