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NTE4151PT1G
 型号:  NTE4151PT1G
 标记/丝印/代码/打字:  TM
 厂家:  ON
 封装:  SOT-523
 批号:  07NOPB
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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NTE4151PT1G TM 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 6V
最大漏极电流Id Drain Current -760mA/-0.76A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.26Ω @-3.5A,-4.5V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage -0.45V
耗散功率Pd Power Dissipation 301mW/0.301W
Description & Applications Features ? Low RDS(on) for Higher Efficiency and Longer Battery Life ? Small Outline Package (1.6 x 1.6 mm) ? SC?75 Standard Gullwing Package ? ESD Protected Gate ? Pb?Free Packages are Available
描述与应用 ?低的RDS(on) 更高的效率和更长的电池寿命 ?小型封装(1.6×1.6毫米) ?SC-75标准鸥翼式封装 ?ESD保护门 ?无铅包可用
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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CCF1NTE10 10A KOA 05+ 1808-10A 1100 保险管FUSE-正常熔断Normal blow 查看
CCF1NTE2.5 2.5A KOA 05+ 1808-2.5A 0 保险管FUSE-正常熔断Normal blow 查看
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