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NDC7003P
 型号：  NDC7003P
 标记/丝印/代码/打字：  3
 厂家：  FAIRCHILD
 封装：  SOT-163/SOT23-6/SSOT-6
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel
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NDC7003P 3 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage -20V
最大漏极电流Id Drain Current -340mA/-0.34A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 7.5?@ VGS = -4.8V, ID = -250mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -1~-3.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 960mW/0.96W
Description & Applications Dual P-Channel Power Trench MOSFET General Description These dual P-Channel Enhancement Mode Power Field Effect Transistors are produced using Fairchild’s proprietary Trench Technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. This product is particularly suited to low voltage applications requiring a low current high side switch. Features ? Low gate charge ? Fast switching speed ? High performance trench technology for low RDS(ON) ? SuperSOT-6 package
描述与应用 双P沟道功率沟槽MOSFET 概述 这些双P沟道增强模式功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的沟道技术。这非常高密度工艺已旨在最大限度地减少通态电阻，提供坚固可靠的性能和快速切换。本产品特别适合需要低电流高侧开关低电压应用。 特点 ?低栅极电荷 ?开关速度快 ?高性能沟道技术的低RDS（ON） ?SuperSOT-6封装
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