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MMC2301
 型号:  MMC2301
 标记/丝印/代码/打字:  N16
 厂家:  MICROMETRICS
 封装:  SOT-23/SC-59
 批号:  04+
 库存数量:  1500
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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MMC2301 N16 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 30V
最大漏极电流Id Drain Current -1.9A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.09Ω @950mA,5V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 1.0-2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 7.5W
Description & Applications Features ? Avalanche Energy Specified ? Source?to?Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode ? Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits ? IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature ? Pb?Free Packages are Available
描述与应用 ?雪崩能量 ?源漏二极管恢复时间等同于离散 快恢复二极管 ?二极管的特性是桥电路中使用 ?IDSS和VDS(上) 指定高温 ?无铅包可用
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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