MMBT6427LT1 1V9 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-EmitterVoltage(VCEO) |
40V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
500mA/0.5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
|
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
140000 @ 5V,0.5A |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
1.5V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
300mW/0.3W |
| Description & Applications |
? Darlington Transistor NPN Silicon |
| 描述与应用 |
?达林顿晶体管NPN硅管 |
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