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MMBR941LT1
 型号:  MMBR941LT1
 标记/丝印/代码/打字:  7Y
 厂家:  ON
 封装:  SOT-23/SC-59
 批号:  05+
 库存数量:  0
 所属分类:  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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MMBR941LT1 7Y 的参数

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 20V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 10V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 50mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 8Ghz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 50~100
管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率Pc Power Dissipation
Description & Applications The RF Line NPN Silicon Low Noise High-Frequency TRANSISTOR features excellent broadband linearity and is offered in a variety of packages. ? Fully Implanted Base and Emitter Structure ? 9 Finger, 1.25 Micron Geometry with Gold Top Metal ? Gold Sintered Back Metal ? Available in tape and reel packaging options: T1 suffix = 3,000 units per reel T3 suffix = 10,000 units per reel
描述与应用 RF线NPN硅 低噪声高频三极管 具有良好的宽带线性,并提供多种封装。 ?完全植入基极和发射极结构 ?9个手指,1.25微米几何与黄金顶部的金属 ?黄金背面金属烧结 ?可在磁带和卷轴包装选择: T1后缀=3000单位每卷 T3后缀=10,000单位每卷
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