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MBT4403
 型号：  MBT4403
 标记/丝印/代码/打字：  2T
 厂家：  SAMSUNG
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+
 库存数量：  3000
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  PNP
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MBT4403 2T 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -40V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) ?40V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) ?600mA/- 0.6A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 200MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 100~300
管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage -750mV/-0.75V
耗散功率Pc PoWer Dissipation 225mW/0.225W
Description & Applications PNP epitaxial planar transistor Description The HMBT4403 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages
描述与应用 PNP外延平面晶体管 描述 HMBT4403是专为一般用途的应用，要求高的击穿电压
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