MBT3906DW1T1G A2 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-40V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-200mA |
| Q1基极输入电阻R1
Input Resistance(R1) |
250MHz |
| Q1基极-发射极输入电阻R2
Base-Emitter Resistance(R2) |
300 |
| Q1电阻比(R1/R2)
Q1 Resistance Ratio |
-400mV |
| Q2基极输入电阻R1
Input Resistance(R1) |
150mW |
| Q2基极-发射极输入电阻R2
Base-Emitter Resistance(R2) |
Features ? Dual General Purpose Transistors ? hFE, 100?300 ? Low VCE(sat), ≤ 0.4 V ? Simplifies Circuit Design ? Reduces Board Space ? Reduces Component Count ? Available in 8 mm, 7?inch/3,000 Unit Tape and Reel ? Pb?Free Packages are Available |
| Q2电阻比(R1/R2)
Q2 Resistance Ratio |
特点 ?双通用晶体管 ?HFE，100-300 ?低VCE（sat），≤0.4 V ?简化电路设计 ?缩小板级空间 ?减少元件数量 ?可在8毫米，7寸/3,000组带和卷轴 ?无铅包可用 |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
|
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
|
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
|
| Description & Applications |
|
| 描述与应用 |
|
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
