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MBT3906DW1T1G
 型号：  MBT3906DW1T1G
 标记/丝印/代码/打字：  A2
 厂家：  ON
 封装：  SOT-363/SC-88
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合三极管Complex Bipolar Transistor
    PNP+PNP
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MBT3906DW1T1G A2 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -40V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) -40V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -200mA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 250MHz
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 300
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio -400mV
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 150mW
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) Features ? Dual General Purpose Transistors ? hFE, 100?300 ? Low VCE(sat), ≤ 0.4 V ? Simplifies Circuit Design ? Reduces Board Space ? Reduces Component Count ? Available in 8 mm, 7?inch/3,000 Unit Tape and Reel ? Pb?Free Packages are Available
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio 特点 ?双通用晶体管 ?HFE，100-300 ?低VCE（sat），≤0.4 V ?简化电路设计 ?缩小板级空间 ?减少元件数量 ?可在8毫米，7寸/3,000组带和卷轴 ?无铅包可用
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
耗散功率Pc Power Dissipation
Description & Applications
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