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LMBTH10LT1G
 型号:  LMBTH10LT1G
 标记/丝印/代码/打字:  3E
 厂家:  LRC
 封装:  SOT-23/SC-59
 批号:  05+
 库存数量:  0
 所属分类:  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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LMBTH10LT1G 3E 的参数

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 30V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 25V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 650MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 60
管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage 500mV/0.5V
耗散功率Pc Power Dissipation 225mW/0.225W
Description & Applications VHF/UHF Transistors We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
描述与应用 VHF/ UHF晶体管 产品符合RoHS要求的材料。
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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LMBT3904LT1G 1AM LRC 11+ROHS SOT-23/SC-59 15000 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT) 查看
LMBT3906LT1G 2A LRC 11+ROHS SOT-23/SC-59 6000 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT) 查看

 

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