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L8050QLT1
 型号：  L8050QLT1
 标记/丝印/代码/打字：  1Y
 厂家：  LRC
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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L8050QLT1 1Y 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 40V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 25V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 800mA/0.8A
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 100~600
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 500mV/0.5V
耗散功率Pc Power Dissipation 225mW/0.225W
Description & Applications High current capacity in compact package. IC = 0.8A. Epitaxial planar type. NPN complement: L8050 Pb-Free Package is available.
描述与应用 高电流容量，在紧凑的封装。 ??????IC=0.8A。 外延平面型。 NPN补充：L8050 无铅封装。
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