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KTD1003A
 型号：  KTD1003A
 标记/丝印/代码/打字：  LA
 厂家：  KEC
 封装：  SOT-89
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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KTD1003A LA 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 1A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 150MHz~250MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 800~3200
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 170mV~300mV
耗散功率Pc Power Dissipation
Description & Applications HIGH CURRENT APPLICATION. hight DC current gain:hfe=800~3200 wide area of safe operation low collector saturation voltage
描述与应用 高电流应用。 高度直流电流增益：HFE=800?3200 安全工作区广 低集电极饱和度电压
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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MLF2012A1R0KTD17 TDK 05+ 0805-1R0K 2800 电感Inductor/Coil/Choke-其它Other 查看

　
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