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IRLML6401
 型号:  IRLML6401
 标记/丝印/代码/打字:  F1
 厂家:  IR
 封装:  SOT-23/SC-59
 批号:  05+
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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IRLML6401 F1 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage -12V
最大漏极电流Id Drain Current -430mA/-0.43A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.050Ω @-4.3A,-4.5V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage -0.40--0.95V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.3W
Description & Applications Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET SOT-23 Footprint Low Profile (<1.1mm) Available in Tape and Reel
描述与应用 超低导通电阻 P沟道MOSFET SOT-23的脚印 薄型(高度<1.1mm) 可在磁带和卷轴
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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