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型号: |
IRLML6401 |
标记/丝印/代码/打字: |
F1 |
厂家: |
IR |
封装: |
SOT-23/SC-59 |
批号: |
05+ |
库存数量: |
0 |
所属分类: |
场效应管FET MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
技术文档PDF: |
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IRLML6401 F1 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
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最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
-12V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
-430mA/-0.43A |
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.050Ω @-4.3A,-4.5V |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.40--0.95V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.3W |
Description & Applications |
Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET SOT-23 Footprint Low Profile (<1.1mm) Available in Tape and Reel |
描述与应用 |
超低导通电阻 P沟道MOSFET SOT-23的脚印 薄型(高度<1.1mm) 可在磁带和卷轴 |
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相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
IRLML6302 |
CA/CB/CC/C1/1C/CE/CF/CG |
IR |
05+NOPB8700 |
SOT-23/SC-59 |
204950 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
IRLML6302 |
1CKU |
IR |
06+1rnopb |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
IRLML6401 |
F1 |
IR |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
IRLML6401TR |
F1/F3/F4/F5/F6/FB/FE |
IR |
05+NOPB1000 |
SOT-23/SC-59 |
2845 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
IRLML6402TR |
EC/E4/E1/EB/E7/E3 |
IR |
05+NOPB1200 |
SOT-23/SC-59 |
2000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
IRLML6402TR |
|
IR |
05+nopb |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
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