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IRFS1Z3
 型号：  IRFS1Z3
 标记/丝印/代码/打字：  12
 厂家：  ROHM
 封装：  SOT-89/SC-62/MPT3
 批号：  05+
 库存数量：  1500
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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IRFS1Z3 12 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 16V
最大漏极电流Id Drain Current 2.8A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.14Ω/Ohm @2A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1.0-2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 2.1W
Description & Applications Surface Mount Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance ynamic dv/dt Rating Fast Switching Fully Avalanche Rated
描述与应用 表面贴装 先进的工艺技术 超低导通电阻 动态dv/ dt额定值 快速切换
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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