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IRFR310BTM
 型号:  IRFR310BTM
 标记/丝印/代码/打字:  
 厂家:  FAIRCHILD
 封装:  TO-252/D-PAK
 批号:  04+NOPB
 库存数量:  400
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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IRFR310BTM  的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 400V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 30V
最大漏极电流Id Drain Current 1.7A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 2.7Ω/OhmV @850mA,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 2.0-4.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 2.5W
Description & Applications 400V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies andelectronic lamp ballasts based on half bridge. ? 1.7A, 400V, RDS(on) = 3.4? @VGS = 10 V ? Low gate charge ( typical 7.7 nC) ? Low Crss ( typical 6.0 pF) ? Fast switching ? 100% avalanche tested ? Improved dv/dt capability
描述与应用 400V N沟道MOSFET 概述 这些N沟道增强型功率场效应 晶体管都采用飞兆半导体专有的生产,平面,DMOS技术。 这种先进的技术,特别是针对已 最大限度地减少通态电阻,优越的开关性能,经受住了高能量脉冲 雪崩和减刑模式。这些器件非常 适用于高效率开关模式电源供应器和 电子镇流器基于半桥。 ?低栅极电荷(典型7.7 nC) ?低Crss(典型6.0 pF) ?快速开关 ?100%雪崩测试 ?改进的dv / dt能力
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
IRFR310BTM FAIRCHILD 04+NOPB TO-252/D-PAK 400 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
IRFR320TF IRFR320 FAIRCHILD 05+ TO-252/D-PAK 60 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
IRFR3303TR FR3303 IR 05+ TO-252/D-PAK 1300 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
IRFR3704 FR3704 IR 05+ TO-252/D-PAK 7500 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
IRFR3704 FR3704 IR 05+ TO-252/D-PAK 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
IRFR3707ZTR FR3707Z IR 05+ TO-252/D-PAK 500 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看

 

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