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型号: |
IRF5803TR |
标记/丝印/代码/打字: |
G6 |
厂家: |
IR |
封装: |
SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 |
批号: |
05+ |
库存数量: |
0 |
所属分类: |
场效应管FET MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
技术文档PDF: |
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IRF5803TR G6 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-40V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
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最大漏极电流Id
Drain Current |
-3.4A |
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.112Ω @-3.4A,-10V |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
-1.0--3V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
2W |
Description & Applications |
Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel Low Gate Charge |
描述与应用 |
超低导通电阻 P沟道MOSFET 表面贴装 可在磁带和卷轴 低栅极电荷 |
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相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
IRF5800TR |
B3X/BC |
IR |
05+ |
SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 |
320 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
IRF5803TR |
G6 |
IR |
05+ |
SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
IRF5803TR |
G6 |
IR |
05+ |
SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
IRF5801TRPBF |
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IR |
11+NOPB |
SOT-163/TSOP-6 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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IRF5801TRPBF |
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IR |
11+ROHS |
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0 |
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