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IPD20N03LG
 型号:  IPD20N03LG
 标记/丝印/代码/打字:  20N03L
 厂家:  INFINEON
 封装:  TO-252/D-PAK
 批号:  05NOPB
 库存数量:  830
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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IPD20N03LG 20N03L 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30v
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 30A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.02Ω/Ohm @15A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 1.2-2V
耗散功率Pd Power Dissipation 6W
Description & Applications N-Channel Logic Level Low on-resistance RDS(on) Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) Superior thermal resistance 175°C operating temperature dv/dt rated Ideal for fast switching buck converter
描述与应用 逻辑电平 低导通电阻RDS(ON) 优秀的门占用×RDS上) 产品(FOM) 卓越的热电阻 175°C工作温度 dv / dt的额定 非常适于快速开关降压转换器?
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