IMZ4 Z4 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
40V/-40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
32V/-32V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
500mA/-500mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
250MHz/200MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
120~560 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
600mV/-600mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
300mW |
| Description & Applications |
Features ? General purpose transistor (dual transistors) ? Includes a 2SA1036K and a 2SC411K transistor in a SMT package. ? Mounting possible with SMT3 automatic mounting machines. ? Transistor elements are independent, eliminating interference. ? High collector current. IC=500mA ? Mounting cost and area can be cut in half. |
| 描述与应用 |
特点 ?通用晶体管（双晶体管） ?在SMT包装包括一个2SA1036K的和一个2SC411K晶体管。 ?安装可能与SMT3可能自动装配机。 ?晶体管元素是独立的，消除干扰。 ?高集电极电流。 IC=500毫安 ?安装成本和面积可减少一半。 |
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