HZM6.2ZFATL 6.2Z 的参数 |
| 额定齐纳电压Vz(V)Zener Voltage 最小
min. |
5.9V |
| 平均
Typ. |
6.2V |
| 最大
max. |
6.5V |
| 误差
Tolerance |
|
| 最大齐纳阻抗Zz(Ω)
Dynamic Impedance |
60Ω |
| 最大反向漏电流IR(uA)
Reverse Current |
3uA |
| 最大耗散功率Pd
Power dissipation |
200MW/0.2W |
| Description & Applications |
* Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb.
* HZM6.2ZFA has four devices, and can absorb external + and -surge.
* Low capacitance (C=8.5pF max) and can protect ESD of signal line.
* MPAK-5 Package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly. |
| 描述与应用 |
* 硅外延平面齐纳二极管的浪涌吸收。
* HZM6.2ZFA有四个设备，并可以吸收外部的+和浪涌。
* 低电容（C =8.5pF最大）和保护ESD信号线的。
* MPAK-5包装是适合高密度表面安装和高速汇编。 |
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