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HN3G01J-GR
 型号：  HN3G01J-GR
 标记/丝印/代码/打字：  ZG
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-153/SMV/SOT-25
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    FET+BJT
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HN3G01J-GR ZG 的参数
FET类型 Type JFET N-Channel
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage -20V
最大漏极电流Id Drain Current
源漏极导通电阻Rds(on) Drain-Source On-State Resistance
跨导 Forward Transfer Admittance 25ms@VDS=5V，VGS=0V，f=kHz
IDSS(Vgs=0V) 6mA~12mA
开启电压Vgs（th）/关断电压Vgs（off） Gate-Source Threshold/Cut-off Voltage -2.5V
BJT 类型 Type NPN
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 150mA/0.15A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 60MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 120~400
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications EPITAXIAL TYPE TRANSISTOR High Frequency Amplifier Applications AM High Frequency Amplifier Applications Audio Frequency Amplifier Applications
描述与应用 外延型晶体管 高频率放大器应用 AM高频放大器的应用 声频放大器的应用
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