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HN1K02FU
 型号:  HN1K02FU
 标记/丝印/代码/打字:  K1
 厂家:  TOSHIBA
 封装:  SOT-363/SC70-6/UF6
 批号:  02+06PB1600
 库存数量:  31100
 所属分类:  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel
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HN1K02FU K1 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 10V
最大漏极电流Id Drain Current 50mA
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 40?@ VGS = 2.5V, ID =10mA
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0.5~1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications High Speed Switching Applications Analog Switch Applications 2.5 V gate drive Low threshold voltage High speed Enhancement-mode Small package
描述与应用 高速开关应用 模拟开关应用 2.5 V门极驱动器 低阈值电压 高速 增强模式 小型封装
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