HMBT2369 1J 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
15V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
500mA/0.5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
900MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
40~120 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
600mV/0.6V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
225mW/0.225W |
| Description & Applications |
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR The HMBT2369 is designed for general purpose switching and amplifier applications. Low Collector Saturation Voltage High speed switching Transistor |
| 描述与应用 |
NPN外延平面晶体管 专为通用开关和放大器应用。 低集电极饱和度电压 高速开关晶体管 |
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