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HM5551
 型号：  HM5551
 标记/丝印/代码/打字：  HM5551
 厂家：  HI-SINCERITY
 封装：  SOT-89
 批号：  04+
 库存数量：  1819
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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HM5551 HM5551 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 180V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 160V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 600mA/0.6A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 300MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 80~250
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 200mV/0.2V
耗散功率Pc Power Dissipation 1.2W
Description & Applications NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR The HM5551 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages. High collector-emitter breakdown voltage. VCEO>160V(@IC=1mA) Complements to PNP type HM5401
描述与应用 NPN外延平面晶体管 HM5551是专为一般用途的应用要求 高击穿电压。 高集电极 - 发射极击穿电压。 VCEO>160V（@ IC=1毫安）， 互补PNP型HM5401
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