HAT1093C-EL-E VM 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-12V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-3A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.041Ω @-1.5A,-4.5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.3--1.2V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
900mW/0.9W |
| Description & Applications |
? Low on-resistance RDS(on) = 41 m? typ. (at VGS = –4.5 V) ? Low drive current. ? 1.8 V gate drive devices. ? High density mounting |
| 描述与应用 |
?低导通电阻 RDS（ON） = 41MΩ（典型值）。 （VGS=-4.5 V） ?低驱动电流。 ?1.8 V门驱动装置。 ?高密度安装 |
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