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HAT1089C
 型号：  HAT1089C
 标记/丝印/代码/打字：  VK
 厂家：  RENESAS
 封装：  SOT-363/SC70-6/CMFPAK - 6)
 批号：  05+NOPB
 库存数量：  10500
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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HAT1089C VK 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current -2A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.079Ω @-1A,-4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.4--1.4V
耗散功率Pd Power Dissipation 850mW/0.85W
Description & Applications ? Low on-resistance RDS(on) = 79 m? typ. (at VGS = –4.5 V) ? Low drive current. ? 2.5 V gate drive devices. ? High density mounting
描述与应用 ?低导通电阻 RDS（ON）=79MΩ（典型值）。 （VGS=-4.5 V） ?低驱动电流。 ?2.5 V门驱动装置。 ?高密度安装
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