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HAT1069C-EL-E
 型号：  HAT1069C-EL-E
 标记/丝印/代码/打字：  VY
 厂家：  RENESAS
 封装：  SOT-363/SC70-6/CMFPAK - 6)
 批号：  04+NOPB
 库存数量：  3000
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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HAT1069C-EL-E VY 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -12V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current -4A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.038Ω @-1.5A,-4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.3--1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation 900mW/0.9W
Description & Applications Features ? Low on-resistance RDS(on) = 38 m? typ (at VGS = –4.5 V) ? High speed switching ? Capable of 1.8 V gate drive ? High density mounting
描述与应用 ?低导通电阻 RDS（ON） =38MΩ典型值（VGS=-4.5 V） ?高速开关 ?能够为1.8V栅极驱动 ?高密度安装
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