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HAF2025-91STL
 型号:  HAF2025-91STL
 标记/丝印/代码/打字:  F2025
 厂家:  RENESAS
 封装:  TO-252/D-PAK
 批号:  05+
 库存数量:  3890
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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HAF2025-91STL F2025 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 16V
最大漏极电流Id Drain Current 1.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.045Ω/Ohm @7.5A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 1.4-2.6V
耗散功率Pd Power Dissipation 40W
Description & Applications ? Logic level operation (4 to 6 V Gate drive) ? High endurance capability against to the short circuit ? Built–in the over temperature shut–down circuit ? Latch type shut–down operation (Need 0 voltage recovery)
描述与应用 ?逻辑电平操作(4至6 V栅极驱动器) ?高续航能力,对短路 ?内置过温关断电路 ?闭锁类型关机操作(需要0电压恢复)
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