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H7P1002DS90TR
 型号：  H7P1002DS90TR
 标记/丝印/代码/打字：  7P1002
 厂家：  RENESAS
 封装：  TO-252/DPAK
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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H7P1002DS90TR 7P1002 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -100V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 30V
最大漏极电流Id Drain Current -1.5A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.0085Ω @-7.5A,-10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -1.0--2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 3W
Description & Applications ? Low on-resistance RDS(on) = 85 m? typ. ? Low drive current ? 4.5 V gate drive device can driven from 5 V source
描述与应用 ?低导通电阻 RDS（ON）=85MΩ（典型值）。 ?低驱动电流 ?4.5 V门驱动装置可以从5 V电源驱动
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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