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型号： |
H5N2004DSTL |
| 标记/丝印/代码/打字： |
5N2004 |
| 厂家： |
HITACHI |
| 封装： |
TO-252/D-PAK |
| 批号： |
05+ |
| 库存数量： |
350 |
| 所属分类： |
场效应管FET
MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
| 技术文档PDF： |
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H5N2004DSTL 5N2004 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
200V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
30v |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
8A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.48Ω/Ohm @4A,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
3.0-4.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
30W |
| Description & Applications |
? Low on-resistance: R DS (on) = 0.38 ? typ. ? Low leakage current: IDSS = 1 μA max (at VDS = 200 V) ? High speed switching: tf = 10 ns typ (at VGS = 10 V, VDD = 100 V, ID = 4 A) ? Low gate charge: Qg = 14 nC typ (at VDD = 160 V, VGS = 10 V, ID = 8 ? Avalanche ratings |
| 描述与应用 |
?低导通电阻R DS（ON）=0.38Ω（典型值）。 ?低漏电流：IDSS= 1μA最大（VDS= 200 V） ?高速开关：TF =10 ns（典型值）（VGS=10 V，VDD= 100 V，ID= 4 A） ?低栅极电荷QG =14 NC（典型值）（VDD= 160 V，VGS=10V，ID= 8 A） ?雪崩额定值 |
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标记/丝印/代码 |
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