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H2N7002XIT1 025Y 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
2.5v |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
200mA/0.2A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
2.8Ω/Ohm 50mA,5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.375V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
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| Description & Applications |
N-Channel MOSFET (60V, 0.2A) |
| 描述与应用 |
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| 技术文档PDF下载 |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| H2N7002XIT1 |
025Y |
HI-SINCERITY |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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