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H2N7002XIT1
 型号:  H2N7002XIT1
 标记/丝印/代码/打字:  025Y
 厂家:  HI-SINCERITY
 封装:  SOT-23/SC-59
 批号:  05+
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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H2N7002XIT1 025Y 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 2.5v
最大漏极电流Id Drain Current 200mA/0.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 2.8Ω/Ohm 50mA,5V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0.375V
耗散功率Pd Power Dissipation
Description & Applications N-Channel MOSFET (60V, 0.2A)
描述与应用
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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