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GN1010-R
 型号：  GN1010-R
 标记/丝印/代码/打字：  5AR
 厂家：  Panasonic
 封装：  SOT-143
 批号：  05+
 库存数量：  2800
 所属分类：  场效应管FET
  MESFET-N沟道MESFET N-Channel
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GN1010-R 5AR 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 6V
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage -4V
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current 25mA-45mA
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications GaAs N-Channel MES For high-output high-gain amplification General-use wide-band amplifier Low noise With bandwidth control pin
描述与应用 砷化镓N沟道MES 用于高输出的高增益放大 一般使用的宽带放大器 低噪音 随着带宽控制引脚
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