GN01010NS1TD 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
6V |
| 栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage |
-4V |
| 漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current |
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| 关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage |
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| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
GaAs N-Channel MES For high-output high-gain amplification General-use wide-band amplifier Low noise With bandwidth control pin |
| 描述与应用 |
砷化镓N沟道MES 用于高输出的高增益放大 一般使用的宽带放大器 低噪音 随着带宽控制引脚 |
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