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GN01010NQTD
 型号：  GN01010NQTD
 标记/丝印/代码/打字：  5AQ
 厂家：  Panasonic
 封装：  SOT-143
 批号：  05+
 库存数量：  300
 所属分类：  场效应管FET
  MESFET-N沟道MESFET N-Channel
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GN01010NQTD 5AQ 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 6V
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage -4V
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current 15mA-30mA
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications GaAs MMICs. GaAs N-Channel MES IC. For high-output high-gain amplification. Features * General-use wide-band amplifier * Low noise * With bandwidth control pin
描述与应用 砷化镓MMIC的。 N沟道MES砷化镓IC。 对于高输出高增益放大。 特点 *一般使用宽带放大器 *低噪音 *随着带宽控制引脚
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