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GMBT1815-G
 型号:  GMBT1815-G
 标记/丝印/代码/打字:  C4G
 厂家:  GTM
 封装:  SOT-23/SC-59
 批号:  05+NOPB
 库存数量:  2800
 所属分类:  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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GMBT1815-G C4G 的参数

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 150mA/0.15A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 80MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 200~400
管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage 250mV/0.25V
耗散功率Pc Power Dissipation 250mW/0.25W
Description & Applications The GMBT1815 is Designed for use Driver Stage of AF Amplifier and General Purpose Application
描述与应用 专为使用AF放大器和通用应用设计
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