FZT849TA FZT849 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
80V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
30V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
7A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~300 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
350mV/0.35V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
3W |
| Description & Applications |
SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT(HIGH PERFORMANCE) TRANSISTOR Extremely low equivalent on-resistance 7 Amp continuous collector current (20 Amp peak) Very low saturation voltages Excellent gain charateristics specified upto 20 Amp COMPLEMENTARY TYPE - FZT949 |
| 描述与应用 |
SOT223 NPN硅平面高电流（高性能）晶体管 极低的等效导通电阻 7安培连续集电极电流（20安培峰值） 极低的饱和电压 出色的增益高达20安培的特征简介 互补型 - FZT949 |
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