FZT653TA FZT653 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
120V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
100V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
2A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
175MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~300 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
500mV/0.5V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
2W |
| Description & Applications |
SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR Low saturation voltage COMPLEMENTARY TYPE - FZT757 |
| 描述与应用 |
SOT223 NPN硅平面 高性能晶体管 低饱和电压 互补型 - FZT757 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
