FP301 301 的参数 |
| 三极管BJT类型
TYPE |
NPN |
| 三极管BJT集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
30V |
| 三极管BJT集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
25V |
| 三极管BJT集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
2A |
| 三极管BJT截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
150MHz |
| 三极管BJT直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100mA |
| 三极管BJT管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.18~0.4V |
| 二极管DIODE类型
TYPE |
肖特基-单管 SBD-Single |
| 二极管DIODE反向电压VR
Reverse Voltage |
30V |
| 二极管DIODE正向整流电流Io
Rectified Current |
700mA |
| 二极管DIODE正向电压降VF
Forward Voltage(Vf) |
550mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
800mW |
| Description & Applications |
Features ? TR:NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor SBD:Schottky Barrier Diode ? DC-DC Converter Applications ? Composite type with 2 devices (NPN transistor and Schottoky barrier diode) contained in one package, facilitating high-density mounting. ? The FP301 is formed with a chip being equivalent to the 2SD1621 and a chip being equivalent to the SB07-03C placed in one package. |
| 描述与应用 |
特点 ?TR：NPN平面外延硅晶体管 ?SBD：肖特基二极管 ?DC-DC转换器应用 ?复合型，有2个设备（NPN晶体管和垒二极管Schottoky）包含在一个包装，促进高密度安装。 ?FP301上形成有一个芯片，相当于2SD1621和芯片相当于放置在一个包装，SB07-03C。 |
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