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FMG9A
 型号：  FMG9A
 标记/丝印/代码/打字：  G9
 厂家：  ROHM
 封装：  SOT-153/SMT5/SC-74A/SOT23-5
 批号：  08+18rnopb
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合带阻尼三极管Complex Bipolar Digital Transistor
    NPN+NPN
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FMG9A G9 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 50mA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 10KΩ/Ohm
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 10KΩ/Ohm
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio 1
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 10KΩ/Ohm
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 10KΩ/Ohm
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio 1
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 250MHz
耗散功率Pc Power Dissipation 300mW/0.3W
Description & Applications Features ?Emitter common (dual digital transistors) ?Two DTC114E chips in a EMT or UMT or SMT package. ?Mounting cost and area can be cut in half.
描述与应用 特点 ?发射极普通的（双数字晶体管） ?两个DTC114E芯片在EMT或UMT或SMT封装。 ?安装成本和面积可减少一半
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