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fdw262p-nl
 型号：  fdw262p-nl
 标记/丝印/代码/打字：  g27 262p
 厂家：  NATIONAL
 封装：  SOP8
 批号：  06NOPB
 库存数量：  1259
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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fdw262p-nl g27 262p 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current -4.5A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.037Ω @-4.5A,-4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.4--1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.3W
Description & Applications ? RDS(ON) rated for use with 1.8 V logic ? Low gate charge (13nC typical) ? High performance trench technology for extremely low RDS(ON) ? Low profile TSSOP-8 package
描述与应用 使用额定电压为1.8 V逻辑与 ?低栅极电荷（13nC典型值） ?高性能沟道技术极 低RDS（ON） ?低调TSSOP-8封装
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