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FDN339AN
 型号：  FDN339AN
 标记/丝印/代码/打字：  339
 厂家：  FAIRCHILD
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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FDN339AN 339 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current 3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.035Ω/Ohm @3A,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.4-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications Low gate charge (7nC typical). ? High performance trench technology for extremely low RDS(ON) .? High power and current handlingcapability.
描述与应用 低栅极电荷（典7nC）。 ?高性能沟道技术极低的RDS（ON） ?高功率和电流处理能力
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